存储散热新技术！SK海力士发布iHBM冷却方案 可降低热阻超30% 存储芯片sk海力士 海力士cjr内存散热方法
《科创板日报》5月26日讯 AI需求的高速增长，正推动芯片散热技术持续演进。
今日，SK海力士宣布推出iHBM解决方案，技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，以降低产品运行时的发热量。公司计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求。
据悉，iHBM有别于传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式，而是直接在热量最为集中的D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer，即实现HBM基础芯片与AI高速芯片之间超高速数据传输的物理互联通道）区域内嵌入热控元件ICE。ICE是一种利用绝缘、高导热性的硅基材料，可在HBM封装内部额外构建出专用热量排出通道。
SK海力士发布iHBM冷却方案 图源：SK海力士
相较传统方案，iHBM可将热阻降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。
从量产能力来看，iHBM将采用WLP封装工艺，可实现稳定规模化量产。此外，SK海力士表示：“该技术与客户现有SiP系统级封装环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署，从而有效降低了实际导入门槛。”
纵观市场，iHBM并非首个试图将散热能力导入芯片内部的技术。
如三星的Exynos 2600芯片即采用了HPB冷却技术，可跟随DRAM一起直接封装在芯片上，并对整体的热结构进行逐步优化；微软团队也曾开发“微流体冷却技术”技术，即通过细如发丝的微小通道，直接将冷却液输送到芯片内部。
另一方面，芯片散热技术愈发从风冷、液冷等单一外部冷却方案，逐步朝封装内部材料优化、结构、外部冷却协同方向演进。
据银河证券，Vera Rubin架构GPU将全面采用“钻石铜复合散热+45℃温水直液冷”全新方案。华源证券指出，将金刚石作为基板集成使用，不仅具有出色的散热效果，还可以通过重新分配整体热阻及流经该基板的温度降差，实现芯片层面的两相冷却。这种设计可使散热性能提升10到100倍。
从存储技术发展的视角来看，三星电子正在开发下一代HBM封装技术“多层堆叠FOWLP”，结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装（FOWLP），可提升带宽并改善设备发热量；SK海力士采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。
投资方面，海通国际证券表示，赛道层面，HBM是下一阶段存储板块核心的弹性方向。伴随2027年全球AI服务器出货量持续高增、HBM3e/HBM4迭代渗透提速，叠加先进封装与良率瓶颈仍持续约束供给释放，看好HBM后续涨价预期。