长鑫科技，科创板IPO过会
5月27日，上交所网站显示，长鑫科技科创板IPO申请已通过上交所上市委审议。
招股书介绍，长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。自2016年成立以来，该公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及 DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。
我国是全球最大的DRAM需求市场之一，而全球前三家DRAM厂商三星电子、SK海力士和美光科技长期占全球90%以上的市场份额。长鑫科技致力于持续扩充产能，不断提升全球市场份额，并为我国DRAM市场提供稳定的供应。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一、全球第四。
从2016年到2026年，长鑫科技这家成立仅十年的企业，成为科创板开板以来最具分量的IPO之一。
从规模上看，本次IPO，长鑫科技拟募集资金总额为295亿元，其中，75亿元用于存储晶圆制造量产线技术升级改造项目，130亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
这也是科创板史上第二大IPO，仅次于中芯国际（首发募资532.3亿元）。
从业绩上看，长鑫科技于2025年实现扭亏为盈。今年一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比扭亏为盈，折合日均盈利超2.75亿元。
此外，公司预计，今年上半年，公司实现营业收入1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润为500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。
2025年7月，长鑫科技完成上市辅导备案，10月通过辅导验收，12月30日获上交所受理。2026年3月，其科创板IPO进程一度程序性中止，原因为财务资料过期。5月17日，长鑫科技完成最新财务数据更新，恢复科创板IPO审核流程。
上交所IPO从“过会”（上市委会议审议通过）到“敲钟”（正式挂牌上市），通常需要经历准备注册材料并报送证监会、证监会履行注册程序、获注册批文后发行上市。常规时间跨度约为1个月至6个月，具体取决于注册问询反馈速度、市场发行窗口等因素。市场预期其有望在2026年第三季度内实现敲钟。
虽然长鑫科技成功过会，但由于此前涨幅过大，A股半导体板块5月27日整体出现回调。
（本报记者 何珂）