截至2026年1月16日10:54，上证科创板半导体材料设备主题指数(950125)强势上涨4.66%，成分股天岳先进（688234.SH）上涨16.54%，和林微纳（688661.SH）上涨9.18%，兴福电子（688545.SH）上涨8.45%，中科飞测（688361.SH），芯源微（688037.SH）等个股跟涨。$科创半导体ETF(588170)上涨4.44%，冲击3连涨。最新价报1.88元。

01存储芯片需求火爆，巨头新产能提前投产

为应对AI存储芯片短缺，SK海力士将龙仁新厂投产提前三个月，清州M15X工厂下月投运HBM。HBM价格去年四季度飙涨300%，客户转向多年期协议锁单，全球存储芯片市场迎结构性繁荣。截止2026年1月15日收盘，科创半导体ETF（588170）上涨4.47%。

韩国存储芯片巨头SK海力士的一位高管日前表示，随着存储芯片需求的激增给全球供应带来压力，该公司计划将一座新工厂的投产时间提前三个月，并将于2月开始运营另一座新工厂。SK海力士美国公司首席执行官Sungsoo Ryu在接受采访时表示：“我们必须为人工智能基础设施的内存消耗提供支持。”Ryu表示，SK海力士在韩国龙仁的新芯片生产基地的首座工厂计划于2027年2月投产，比原计划提前三个月。此外，该公司还计划下个月开始在韩国清州的新工厂M15X部署产能，以生产高带宽存储芯片（HBM）。

02火爆现象背后是AI人工智能引发的一场资源掠夺战

从2025年7月开始，DRAM内存价格一路狂飙。多数品类的涨幅已经超过了100%。根据行业内部流出的最新报价，现在的DDR5服务器内存，单条256G的价格已经突破了4万块大关。据韩媒报道，韩国的两大巨头三星和SK海力士已经正式通知客户，今年一季度，服务器用的DRAM报价要比去年四季度再涨个60%到70%。

这疯狂的景象背后，是存储芯片的超级涨价周期。这场涨价潮的真正推手，是AI人工智能引发的一场资源掠夺战。

AI大模型进行海量的训练和推理，需要一种极其高端的内存HBM（高带宽存储器），这种内存工艺极其复杂。存储厂商产能有限，为了抢占AI这块利润最肥的蛋糕，不得不把原本生产普通电脑、服务器内存的生产线，大规模地改造成生产HBM的产线，导致普通内存产量断崖式下跌。与此同时，谷歌、微软、亚马逊等科技巨头正疯狂扫货。对于他们来说，正在进行的是一场关乎生死的AI军备竞赛。他们根本不在乎内存涨价是20%还是50%，他们在乎的是能不能拿到货，能不能让自家的AI跑得比对手快。甚至有分析师直言，只要能通过AI服务赚到钱，这点硬件成本的上涨对巨头来说九牛一毛。

这种不惜代价的抢购潮，直接给了存储厂商巨大的涨价底气。而且，这不仅仅是一个季度的短缺。半导体工厂的扩产周期是很长的，建一个新厂往往需要两三年。眼下，旧的产能被HBM挤占，新的产能又接不上来。所以，行业内普遍预测，这种由AI引发的结构性短缺，可能会贯穿整个2026年。

海外巨头现在是一门心思搞高端HBM，根本顾不上中低端的普通内存市场。这就在市场上留下了一个巨大的真空地带。谁来填补？或许就是是咱们中国的存储企业。现在，国产存储龙头长鑫科技正在加速IPO和扩产，这可不仅仅是发个股票那么简单，这是整个中国半导体产业链的一次集体冲锋。为了抓住海外巨头留下的市场空缺，国内厂商大规模买设备、建产线。这就直接利好了上游的半导体设备和材料厂商。在淘金热里，卖铲子的人往往是最先赚到钱的。

招商证券认为，AI需求爆发+技术升级驱动半导体行业进入新一轮周期，供需错配带动存储持续涨价。①需求端，英伟达推出新存储平台，AI存储需求持续升级。2026年1月6日，英伟达在CES展会推出新一代Rubin AI平台，其中，BlueField-4为推理上下文内存存储平台，本质为构建一个介于GPU高速内存和传统存储之间、由SSD构成的“内存层”，以高效经济地解决海量KV缓存的问题。容量方面，预计在每个GPU原有1TB内存基础上，额外增加16TB内存，NVL72机架预计将增加1152TB内存，有望带动NAND需求进一步增长；②供给端，供需缺口带动26Q1存储产品价格持续上涨。三星、SK海力士、美光等头部存储芯片厂将主要产能转向HBM、DDR5等适配AI和数据中心的高端芯片，但维持较为克制的扩产策略，同时大幅削减DDR4等传统存储芯片的产能，供给收紧导致存储价格持续提升。根据TrendForce预估，26Q1一般型DRAM合约价将季增55-60%，Server DRAM价格季增逾60%，NANDFlash各类产品合约价持续上涨33-38%。

03投资策略:借道指数，布局芯片全赛道