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【央视新闻客户端】

FD-SOI 技术可针对激光故障注入 （LFI） 提供强大的防御，这是一种可能危及加密和安全关键型硬件的精确方法。

LFI 是在受控条件下探测硅漏洞的黄金标准，随着金属层的厚度越来越大，背面访问的使用越来越多，这使得基板工程对于安全至关重要。

FD-SOI 消除了体 CMOS 中发现的主要 LFI 故障机制，显着降低了激光故障的脆弱性，并需要更多的激光射击来诱发故障。

FD-SOI 的物理弹性简化了对 ISO/SAE 21434 等汽车网络安全标准的合规性，并有助于实现更高的保证级别，而无需采取广泛的额外对策。

FD-SOI 的未来创新，例如埋地光学屏障和集成传感器，可以增强其安全功能，使其成为安全汽车电子的参考平台。

重点介绍了完全耗尽绝缘体上硅 （FD-SOI） 技术如何针对激光故障注入 （LFI） 提供强大的防御，这是一种精确的实验室级攻击方法，可能会损害加密和安全关键硬件。随着车辆变得越来越数字化和互联，随着数十个微控制器和无线更新，硬件级安全性已成为 ISO/SAE 21434 等汽车网络安全标准的核心。

物理故障注入攻击 （FIA） 可以绕过安全启动、解锁受保护的调试端口并中断程序流。其中，LFI 以其精度而脱颖而出，使用紧密聚焦的近红外激光脉冲来翻转位或改变电路时序。虽然现场可能会发生电压和电磁故障，但 LFI 仍然是在受控实验室条件下系统探测硅漏洞的黄金标准。

由于金属层和屏蔽层变厚，正面访问变得更加困难，背面激光通过基板的访问越来越多。这种转变使基板工程（芯片的物理基础）成为关键的安全因素。

FD-SOI 与块状 CMOS 的不同之处在于，其晶体管构建在超薄硅层上，通过埋入氧化物 （BOX） 与主晶圆电隔离。这种结构差异消除了块状硅中发现的主要 LFI 故障机制。

漏极/体电荷收集– FD-SOI 的薄硅层和 BOX 势垒显着降低了激光在 PN 结处产生的光电流。

激光诱导的红外压降– 在体CMOS中，孔和基板之间的电流环路会导致瞬态压降。FD-SOI使用隔离的体偏置网络，消除了这种传导路径。

底物扩散和漏斗– 电荷载流子不能在 BOX 中垂直扩散，从而防止多细胞扰动和闩锁。

寄生双极放大– FD-SOI 中仅保留微弱的横向双极效应，可以使用反向体偏置 （RBB）进一步缓解该效应以提高激光能量阈值。

通过阻断基板传导和限制活动区域，FD-SOI 显着减少了易受激光故障影响的面积和能量范围。

比较 22FDX FD-SOI 和 28 nm 体 CMOS 器件（包括 D-触发器、SRAM 和 AES/ECC 加密内核）的实验证实了理论优势。在测试中，FD-SOI 需要多达 150× 次激光射击才能产生与批量设备中观察到的相同故障。首次故障时间从大约 10 分钟增加到 10 小时，而最小故障能量阈值从 0.3 W 增加到 0.5 W 以上。

空间和深度敏感性测绘表明，块状硅具有宽阔的故障易发区，而FD-SOI故障仅限于亚微米“热点”，焦深仅为约±1 μm。因此，攻击者必须执行超精细的空间扫描，从而大大增加工作量和成本。

此外，FD-SOI 中过大的激光功率会造成永久性损坏或卡住钻头，从而有效地产生自然威慑，因为激进的尝试可能会破坏目标设备。

在 ISO/SAE 21434 框架中，降低攻击可能性直接降低了网络安全风险。因此，FD-SOI 的物理弹性简化了合规性，并可以帮助产品实现通用标准或 SESIP 保证级别（EAL4+ 或更高），而无需采取大量额外的对策。由于攻击持续时间、设备复杂性和专业知识都在增加，FD-SOI 为汽车 OEM 和一级供应商提供了可量化的保证提升。

作者设想通过基板级创新来扩展 FD-SOI 的优势，将其从被动平台转变为主动网络弹性层。重点介绍了两种新兴技术：

埋地光学屏障——BOX 下方的高掺杂层，可吸收或散射红外光，减少 LFI 能量传输，同时实现防伪水印。

集成传感器和 PUF（物理不可克隆功能）基板嵌入式监视器，可检测篡改或从制造变体中获取唯一的加密身份。

这些创新共同可以使基板检测攻击、实时做出反应，并以加密方式将硅身份绑定到车辆平台。

底线：FD-SOI 代表了硬件安全领域的材料级突破。通过消除批量 CMOS 中利用的基板途径，它缩小了激光故障窗口，增加了攻击复杂性，并通过身体偏置控制提供可调弹性。这些优势与不断发展的汽车网络安全法规直接相关，可提供更快的认证和更低的系统成本。

随着基板工程继续向集成光学屏障和防篡改功能发展，FD-SOI 有望成为安全汽车电子的参考平台，在硅级建立信任。

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