能够降低85%的能耗 IBM 和三星在半导体设计上再取得新进展
admin
2021-12-19 05:12:40
能够降低85%的能耗 IBM 和三星在半导体设计上再取得新进展；
IBM 和三星在半导体设计上再取得新进展！据这两家公司称，他们研发出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。而在之前的设计中，晶体管是被平放在半导体表面上的。新的垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET 技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。英特尔和三星两家公司指出 VTFET 芯片可以让设备“性能提高两倍或能源使用减少 85%”
IBM 和三星在半导体设计上再取得新进展！据这两家公司称，他们研发出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。而在之前的设计中，晶体管是被平放在半导体表面上的。新的垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET 技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。英特尔和三星两家公司指出 VTFET 芯片可以让设备“性能提高两倍或能源使用减少 85%”